ГОСТ 2.730-73 Позначення умовні графічні в схемах. Прилади напівпровідникові. Зміна № 4

Для роботи з текстом документа (друк документа, пошук по тексту)
необхідно авторизуватись.

Увійти в Особистий кабінет

Безкоштовні документи  Помилка в документі Замовити документ

Сервіс містить 18603 безкоштовних документів, які доступні зареєстрованим користувачам. Реєструйся безкоштовно >>>


  • Інформація про документ
  • Посилання на документи
  • Посилання з інших документів
Найменування документа (укр.)ГОСТ 2.730-73 Позначення умовні графічні в схемах. Прилади напівпровідникові. Зміна № 4
Дата початку дії01.01.1992
Дата прийняття01.01.1973
Дата скасування дії 01.01.2020
СтатусДіючий
Вид документаГОСТ (Міждержавний стандарт)
Шифр документа2.730-73
РозробникКомітет по стандартизації, метрології і сертифікації
Орган, що прийнявКомітет по стандартизації, метрології і сертифікації
Додаткові дані Втратив чинність згідно з наказом від 14.12.2015 № 187. Термін скасування перенесено згідно з наказом від 04.07.2017 № 164. Термін скасування перенесено згідно з наказом від 27.12.2018 № 535


У даному документі немає посилань на інші нормативні документи.


Інші нормативні документи не посилаються на даний документ.

УДК 744:621.382:003.62:006.354

Группа Т52

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР


Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ.

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ГОСТ

2.730-73

Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices

(СТ СЭВ 661-77)


Дата введения 01.07.74

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 661-77.

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Издание официальное

Перепечатка воспрещена

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. №2).

2. Электроды:

база с одним выводом

image1

база с двумя выводами

image2

P-эмиттер с N-областью

image3

N-эмиттер с P-областью

image4

несколько эмиттеров, например, четыре P-эмиттера с N-областью

image5

коллектор с базой

image6

несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе

image7

Продолжение табл. 1

Наименование

Обозначение

3. Области:

область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью.

Переход от P-области к N-области и наоборот

image8

область собственной электропроводности (I-область) :

1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP

image9

2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN

image10

3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP

image11

4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN

image12

4. Канал проводимости для полевых транзисторов:

обогащенного типа

image13

обедненного типа

image14

5. Переход PN

image15

6. Переход NP

image16

7. P-канал на подложке N-типа, обогащенный тип

image17

8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип

image18

9. Затвор изолированный

image19

10. Исток и сток

Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

image20

11. Выводы полупроводниковых приборов:

электрически не соединенные с корпусом

image21

электрически соединенные с корпусом

image22

12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

image23

(Измененная редакция, Изм. № 2).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

а) прямой

image24

Продолжение табл. 4

Наименование

Обозначение

б) обращенный

image25

2. Эффект лавинного пробоя:

а) односторонний

image26

б) двухсторонний

image27

3-8. (Исключены, Изм. № 2).

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Диод

Общее обозначение

image28

2. Диод туннельный

image29

3. Диод обращенный

image30

Продолжение табл. 5

Наименование

Обозначение

4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

а) односторонний

image31

б) двухсторонний

image32

5. Диод теплоэлектрический

image33

6. Варикап

image34

7. Диод двунаправленный

image35

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами

image36

9. Диод Шотки

image37

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование

Обозначение

Повна версія документа доступна безкоштовно авторизованим користувачам.

Увійти в Особистий кабінет

© 2019 Всі права захищені
Розробник сервісу ТОВ "Computer Logic Group"
Тел.: +38 (057) 341-80-81 E-mail: online@budstandart.com