ГОСТ 2.730-73 Позначення умовні графічні в схемах. Прилади напівпровідникові. Зміна № 4
|
УДК 744:621.382:003.62:006.354 |
Группа Т52 |
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
|
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ |
ГОСТ 2.730-73 |
|
Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices |
(СТ СЭВ 661-77) |
Дата введения 01.07.74
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 661-77.
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
|
Соответствует официальному тексту ★ |
Перепечатка воспрещена |
Таблица 1
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. (Исключен, Изм. №2). |
|
|
2. Электроды: |
|
|
база с одним выводом |
|
|
база с двумя выводами |
|
|
P-эмиттер с N-областью |
|
|
N-эмиттер с P-областью |
|
|
несколько эмиттеров, например, четыре P-эмиттера с N-областью |
|
|
коллектор с базой |
|
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |
|
Продолжение табл. 1
|
Наименование |
Обозначение |
|
3. Области: |
|
|
область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от P-области к N-области и наоборот |
|
|
область собственной электропроводности (I-область) : |
|
|
1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |
|
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |
|
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |
|
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |
|
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: |
|
|
обогащенного типа |
|
|
обедненного типа |
|
|
5. Переход PN |
|
|
6. Переход NP |
|
|
7. P-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |
|
|
8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип |
|
|
9. Затвор изолированный |
|
|
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |
|
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
|
электрически не соединенные с корпусом |
|
|
электрически соединенные с корпусом |
|
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
|
(Измененная редакция, Изм. № 2).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4.
Таблица 4
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Эффект туннельный |
|
|
а) прямой |
|
Продолжение табл. 4
|
Наименование |
Обозначение |
|
б) обращенный |
|
|
2. Эффект лавинного пробоя: |
|
|
а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний |
|
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
Общее обозначение |
|
|
2. Диод туннельный |
|
|
3. Диод обращенный |
|
Продолжение табл. 5
|
Наименование |
Обозначение |
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
|
а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний |
|
|
5. Диод теплоэлектрический |
|
|
6. Варикап |
|
|
7. Диод двунаправленный |
|
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |
|
|
9. Диод Шотки |
|
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
|
Наименование |
Обозначение |
Повна версія документа доступна БЕЗКОШТОВНО авторизованим користувачам.