ДСТУ EN 62373:2022 Тест на стойкость к температуре сдвига для металлооксидных, полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (EN 62373:2006, IDT; IEC 62373:2006, IDT)

ДСТУ EN 62373:2022
(EN 62373:2006, IDT; IEC 62373:2006, IDT)

Тест на стійкість до температури зсуву для металооксидних, напівпровідникових польових транзисторів (MOSFET)

 
   
 
 
     
Не є офіційним виданням.
Офіційне видання розповсюджує національний орган стандартизації
(ДП «УкрНДНЦ» http://uas.gov.ua)

Contents

INTRODUCTION

1 Scope

2 Terms and definitions

3 Test equipment

3.1 Equipment

3.2 Requirement for handling

4 Test sample

4.1 Sample

4.2 Packaging

4.3 ESD protection circuit

5 Procedure

5.1 Initial measurement and read point measurement

5.2 Test

5.3 Notes for field MOSFET

5.4 Judgment

Annex A (informative) Wafer level reliability test (WLR test)

Bibliography

Figure 1 - V_GS-I_DS curve to explain V_th.ext

Figure 2 - Connection between MOSFET electrodes and external terminals

Figure 3 - Example of ESD protection circuit

Figure 4 - MOSFET ВТ test circuit (Nch)