ДСТУ EN 62417:2022 Напівпровідникові прилади. Мобільні іонні випробування металооксидних напівпровідникових польових транзисторів (MOSFET) (EN 62417:2010, IDT; IEC 62417:2010, IDT)

Даний документ доступний у тарифі «ВСЕ ВРАХОВАНО»

У Вас є питання стосовно документа? Ми раді на них відповісти!Перелік безкоштовних документівПомітили помилку в документі або на сайті? Будь ласка, напишіть нам про це!Залишити заявку на документ


ДСТУ EN 62417:2022
(EN 62417:2010, IDT; IEC 62417:2010, IDT)

Напівпровідникові прилади. Мобільні іонні
випробування металооксидних
напівпровідникових польових транзисторів
(MOSFET)

 
 
 
 
     
Не є офіційним виданням.
Офіційне видання розповсюджує національний орган стандартизації
(ДП «УкрНДНЦ» http://uas.gov.ua)

Contents

1 Scope

2 Abbreviations and letter symbols

3 General description

4 Test equipment

5 Test structures

6 Sample size

7 Conditions

8 Procedure

8.1 Bias temperature stress

8.2 Voltage sweep

9 Criteria

10 Reporting

Повна версія документа доступна в тарифі «ВСЕ ВРАХОВАНО».

Увійти в Особистий кабінет Детальніше про тарифи

БУДСТАНДАРТ Online