31.080.99 Інші напівпровідникові прилади

ДСТУ EN 62047-2:2022 Напівпровідникові пристрої. Мікроелектромеханічні пристрої. Частина 2. Метод випробування на розтяг тонкоплівкових матеріалів (EN 62047-2:2006, IDT; IEC 62047-2:2006, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 62047-3:2022 Напівпровідникові прилади. Мікроелектромеханічні пристрої. Частина 3. Тонкоплівковий стандартний випробувальний зразок для випробування на розтяг (EN 62047-3:2006, IDT; IEC 62047-...
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 62258-5:2022 Напівпровідникові кристали. Частина 5. Вимоги до інформації щодо електричного моделювання (EN 62258-5:2006, IDT; IEC 62258-5:2006, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 62258-6:2022 Напівпровідникові кристали. Частина 6. Вимоги до інформації щодо теплового моделювання (EN 62258-6:2006, IDT; IEC 62258-6:2006, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ CLC/TR 62258-7:2022 Напівпровідникові кристали. Частина 7: XML-схема для обміну даними (CLC/TR 62258-7:2007, IDT; IEC/TR 62258-7:2007, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ CLC/TR 62258-3:2022 Напівпровідникові кристали. Частина 3. Рекомендації щодо належної практики поводження, пакування та зберігання (CLC/TR 62258-3:2007, IDT; IEC/TR 62258-3:2005, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 62047-4:2022 Напівпровідникові пристрої. Мікроелектромеханічні пристрої. Частина 4. Загальна специфікація для MEMS (EN 62047-4:2010, IDT; IEC 62047-4:2008, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ CLC/TR 62258-8:2022 Напівпровідникові кристали. Частина 8: Схема моделі EXPRESS для обміну даними (CLC/TR 62258-8:2008, IDT; IEC/TR 62258-8:2009, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 62258-1:2022 Напівпровідникові кристали. Частина 1. Придбання та використання (EN 62258-1:2010, IDT; IEC 62258-1:2008, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ 62258-2:2022 Напівпровідникові кристали. Частина 2. Обмін форматами даних (EN 62258-2:2011, IDT; IEC 62258-2:2011, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ CLC/TR 62258-4:2022 Напівпровідникові кристали. Частина 4. Анкета для користувачів і постачальників кристалів (CLC/TR 62258-4:2013, IDT; IEC/TR 62258-4:2012, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN IEC 62969-3:2022 Напівпровідникові пристрої. Напівпровідниковий інтерфейс для автомобільних транспортних засобів. Частина 3. Збір п’єзоелектричної енергії, керований ударними напругами, для да...
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN IEC 62969-4:2022 Напівпровідникові пристрої. Напівпровідниковий інтерфейс для автомобільних транспортних засобів. Частина 4. Метод оцінки інтерфейсу даних для автомобільних датчиків (EN IEC 62...
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN IEC 63244-1:2022 Напівпровідникові пристрої. Напівпровідникові пристрої для бездротової передачі енергії та заряджання. Частина 1. Загальні вимоги та технічні характеристики (EN IEC 63244-1:20...
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN IEC 63373:2022 Рекомендації щодо методу випробування динамічного опору для пристроїв перетворення потужності на основі GaN HEMT (EN IEC 63373:2022, IDT; IEC 63373:2022, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 62431:2022 Відбивна здатність поглиначів електромагнітних хвиль міліметрової частоти. Методи вимірювання (EN 62431:2008, IDT; IEC 62431:2008, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 61967-2:2022 Інтегральні схеми. Вимірювання електромагнітних випромінювань від 150 кГц до 1 ГГц. Частина 2. Вимірювання викидів внаслідок опромінення. Метод комірки ТЕМ і широкосмугової комірк...
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-5-3:2022 Прилади напівпровідникові. Дискретні прилади та інтегральні схеми. Частина 5-3. Оптоелектронні пристрої. Методи вимірювання (EN 60747-5-3:2001, IDT; IEC 60747-5-3:1997, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-16-1:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 16-1. Мікрохвильові інтегральні схеми. Підсилювачі (EN 60747-16-1:2002, IDT; IEC 60747-16-1:2001, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-5-3:2022 Прилади напівпровідникові. Дискретні прилади та інтегральні схеми. Частина 5-3. Оптоелектронні пристрої. Методи вимірювання (EN 60747-5-3:2001/A1:2002, IDT; IEC 60747-5-3:1997/A...
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-16-4:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 16-4. Мікрохвильові інтегральні схеми. Перемикачі (EN 60747-16-4:2004, IDT; IEC 60747-16-4:2004, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-16-1:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 16-1. Мікрохвильові інтегральні схеми. Підсилювачі (EN 60747-16-1:2002/A1:2007, IDT; IEC 60747-16-1:2001/A1:2007, IDT). Зміна № 1:2022
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-16-4:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 16-4. Мікрохвильові інтегральні схеми. Перемикачі (EN 60747-16-4:2004/A1:2011, IDT; IEC 60747-16-4:2004/A1:2009, IDT). Зміна № 1:2022
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-15:2022 Прилади напівпровідникові. Дискретні прилади та інтегральні схеми. Частина 15. Ізольовані силові напівпровідникові прилади (EN 60747-15:2012, IDT; IEC 60747-15:2010, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-16-5:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 16-5. Мікрохвильові інтегральні схеми. Осцилятори (EN 60747-16-5:2013, IDT; IEC 60747-16-5:2013, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-16-1:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 16-1. Мікрохвильові інтегральні схеми. Підсилювачі (EN 60747-16-1:2002/A2:2017, IDT; IEC 60747-16-1:2001/A2:2017, IDT). Зміна № 2:2022
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-16-4:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 16-4. Мікрохвильові інтегральні схеми. Перемикачі (EN 60747-16-4:2004/A2:2017, IDT; IEC 60747-16-4:2004/A2:2017, IDT). Зміна № 2:2022
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN IEC 60747-16-6:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 16-6. Мікрохвильові інтегральні схеми. Помножувачі частоти (EN IEC 60747-16-6:2019, IDT; IEC 60747-16-6:2019, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN IEC 60747-17:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 17. Магнітний та ємнісний з’єднувач для основної та посиленої ізоляції (EN IEC 60747-17:2020, IDT; IEC 60747-17:2020, IDT)
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська

ДСТУ EN 60747-16-5:2022 Прилади напівпровідникові. Частина 16-5. Мікрохвильові інтегральні схеми. Осцилятори (EN 60747-16-5:2013/A1:2020, IDT; IEC 60747-16-5:2013/A1:2020, IDT). Зміна № 1:2022
Діючий Дата прийняття: 28.12.2022 Мова документа: Англійська